可控硅整流器的結(jié)構(gòu)以及優(yōu)勢(shì)
可控硅整流器，是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為核心的電源功率控制電器。具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又稱作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。由于其能承受的電壓和電流容量仍然是目前電力電子器件中*高的，而且工作可靠，因此在大容量的應(yīng)用場(chǎng)合仍然具有比較重要的地位。
可控硅整流器的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的*小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么，在電壓過零時(shí)，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。
自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
二極管，可控硅，IGBT有什么區(qū)別？ 二極管不用說了吧，單向?qū)?，可以?shí)現(xiàn)整流；
可控硅也叫晶閘管，分雙向和單向，單向可控硅也是單向?qū)?通，可以實(shí)現(xiàn)整流，但它通過控制導(dǎo)通角可以實(shí)現(xiàn)可控整流程IGBT:絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，作用類似三極管，但在這里當(dāng)開關(guān)管用（不能用于放大狀態(tài)），通過控制G極可以實(shí)現(xiàn)C,E兩端的通斷。一般可用在逆變回路中。 IGBT是一種全控型電壓驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)，開通和關(guān)斷可控制； 可控硅 需要電流脈沖驅(qū)動(dòng)開通，一旦開通，通過門極無法關(guān)斷，需要主電路電流關(guān)斷或很小才能關(guān)斷。
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